参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	STS10DN3LH5n: 0
说明	通用MOSFET   8-SO SO
起订量	2
最小包	2
现货	399 [库存更新时间：2024-04-29]
系列	STripFET™ V
FET类型	2N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs	21m Ohms@5A,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	4.6nC @ 5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	475pF @ 25V
Pd-功率耗散(Max)	2.5W
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	8-SO
封装/外壳	SO
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	10A